英飞凌·官方公司与芯片新闻·· 18 小时前精选
英飞凌宣布在奥地利菲拉赫建设300毫米GaN功率半导体量产基地，投资约11亿欧元
Infineon to establish the world’s first high-volume manufacturing facility for gallium nitride power semiconductors on 300-millimeter wafers in Europe
AI 导读
英飞凌2026年10月27日宣布，将在奥地利菲拉赫现有洁净室基础上建设300毫米晶圆氮化镓（GaN）功率半导体量产设施，到2034年投资约11亿欧元，计划2027年底前投产。
与立芯的关系
可据此核查300毫米GaN功率半导体量产对电源、AI数据中心供电与电动出行功率器件供应链的影响；公司称的“全球首个”量产基地与市场增速预测均需独立来源核对。
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