英飞凌投资约11亿欧元建300mm GaN量产厂

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   英飞凌宣布在奥地利菲拉赫建设300毫米GaN功率半导体量产基地，投资约11亿欧元

   英飞凌2026年10月27日宣布，将在奥地利菲拉赫现有洁净室基础上建设300毫米晶圆氮化镓（GaN）功率半导体量产设施，到2034年投资约11亿欧元，计划2027年底前投产。

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